Ionli implantatsiya usuli energiyasi 10 keVdan 2 meVgacha teng bo’lgan tezlashtirilgan ionlar oqimi yordamida qattiq jismlarni yuzasir tuzilmalarini o’zgartirish maqsadida ionli bombardiman qilish orqali kirishmalar atomlari kiritish usuli hisoblanadi.