Doping, yarim oʻtkazgichlar substratlariga ataylab aralashmalar qoʻshish orqali ularning elektr oʻtkazuvchanligini oʻzgartiradi. Bu muhim jarayon, bor yoki fosfor kabi elementlardan foydalanib, yarim oʻtkazgich qurilmalarining ishlashi uchun zarur boʻlgan p-tip (musbat zaryad tashuvchilar) yoki n-tip (manfiy zaryad tashuvchilar) materiallarni yaratadi